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薄膜制備設備

產(chǎn)品內容

  • 分子束外延設備（MBE ⅢB設備）

    一、主要用途：??應用于研究和確定晶體生長(cháng)機理及開(kāi)展表面物理研究，并可生長(cháng)各種半導體材料?？删_控制外延薄膜的厚度,成分和攙雜濃度,外延生長(cháng)時(shí)可做原位分析與檢測,實(shí)現原子尺度的外延生長(cháng)。二、技術(shù)指標：1.極限真空：6.7×10-8Pa2.系統結構：Φ300×250（mm）圓形不銹鋼；3.樣品臺：三工位，可公轉自轉，可升降調節，最高可加熱至800℃；三、系統組成：??本系統主要由真空抽氣系統、真空室

  • 激光分子束外延進(jìn)樣室改造

    一、項目的技術(shù)要求和技術(shù)指標：（1）、結構：??三室立式并聯(lián)門(mén)結構，一個(gè)進(jìn)樣室，一個(gè)預處理室，一個(gè)是鍍膜室（已有）；三室之間通過(guò)CF100的手動(dòng)閘板閥連接，進(jìn)行樣品的傳遞和交接；??兩個(gè)真空室獨立的真空抽氣機組；??樣品室和預處理室采用圓筒形立式結構；（2）、真空度：??預處理室、進(jìn)樣室極限真空度≤1×10-6Pa；??系統漏率：1×10-7PaL/S；??進(jìn)樣室、預處理室采用獨立的分子泵（國產(chǎn)）

  • 脈沖激光沉積系統

    一、主要技術(shù)指標：1.激光旋轉靶臺（四靶）1套?靶材尺寸：?20，厚度?′。激光靶可安裝4塊，可自轉及公轉，由步進(jìn)電機及電源控制；鍍膜時(shí)，只有一個(gè)靶材可以濺射，靶材有磁力擋板；2.樣品架可加熱及旋轉，樣品尺寸為?50；一次只能放置一個(gè)樣品，樣品臺含有自鎖功能，能輕松靈活進(jìn)行樣品交接。樣品臺可以前后移動(dòng)，與轉靶調整距離為40mm-100mm。樣品臺含有加熱功能，可對樣品進(jìn)行加熱，加熱溫度：900°C

  • PLD系統

    一、設備用途：??制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。二、主要技術(shù)指標：1.激光濺射沉積室，極限真空度優(yōu)于：⒍6×10E-5Pa；工作真空度：40分鐘內從大氣抽到5×10-4Pa；系統漏率為：1×10-7PaL/s;2.激光束掃描裝置：具有兩個(gè)自由度；??????????????3.樣品架可加熱及連續旋轉，加熱溫度：800oC±1oC，旋轉速度為：0～60轉/分；樣品最大尺寸為Ф60㎜

  • 超高真空脈沖激光濺射沉積室系統

    一、主要技術(shù)指標：1.采用雙室結構（鍍膜室+樣品室），不銹鋼材料，磁力傳遞進(jìn)行交接；2.激光濺射沉積室，極限真空度優(yōu)于：8.0×10-8Pa；工作真空度：40分鐘內從大氣抽到5×10-4Pa；系統漏率為：1×10-7PaL/s；樣品室極限真空度優(yōu)于：8.0×10-4Pa；工作真空度：40分鐘內從大氣抽到5×10-3Pa；系統漏率為：1×10-7PaL/s;?????????????3.樣品架可加熱

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