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PLD系統

一、設備用途:??制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。二、主要技術(shù)指標:1.激光濺射沉積室,極限真空度優(yōu)于:⒍6×10E-5Pa;工作真空度:40分鐘內從大氣抽到5×10-4Pa;系統漏率為:1×10-7PaL/s;2.激光束掃描裝置:具有兩個(gè)自由度;??????????????3.樣品架可加熱及連續旋轉,加熱溫度:800oC±1oC,旋轉速度為:0~60轉/分;樣品最大尺寸為Ф60㎜
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產(chǎn)品描述
參數
一、技術(shù)指標:
1. 激光濺射沉積室,極限真空度優(yōu)于:6.6×10E-5Pa;工作真空度:40分鐘內從大氣抽到5×10-4Pa;系統漏率為:1×10-7PaL/s;
2. 激光束掃描裝置:具有兩個(gè)自由度;                            
3. 樣品架可加熱及連續旋轉,加熱溫度:800ºC±1ºC,旋轉速度為:0~60轉/分;樣品最大尺寸為Ф60㎜一個(gè); 計算機控制轉速;                     
4. 激光靶材尺寸:Ф50×5㎜;尺寸可調;共四塊,四塊靶材可公轉換位同時(shí)靶材可自轉,自轉速度為:0~60轉/分,連續旋轉;計算機控制;                                    
5. 真空抽氣采用600升/秒分子泵+8升/秒機械泵;                
6. 激光濺射沉積室尺寸:Ф450球型結構,箱體上開(kāi)有連接激光靶、樣品架、真空閘板閥、氣路閥等法蘭接口。 
二、系統組成:
    主要由激光沉積室、真空抽氣及測量系統、樣品臺及加熱旋轉系統、激光旋轉靶臺系統、窗口與法蘭組件系統、激光束掃描系統、電控系統、配氣系統、輔助系統等部分組成。
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