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小型MOCVD低溫鍍膜設備

主要技術(shù)指標：?真空指標極限真空度：優(yōu)于5×10-5Pa；工作真空優(yōu)于5×10-4Pa，恢復真空時(shí)間（冷態(tài)）小于等于45min；系統漏率：小于等于5×10-7Pa·L/s；鍍膜方式磁控濺射系統采用三靶共濺射鍍膜方式實(shí)現；PECVD系統采用射頻電容耦合方式產(chǎn)生等離子體方式實(shí)現薄膜制備；樣品臺加熱范圍PECVD系統與磁控濺射系統，分別單獨運行；加熱溫度：室溫～600℃可調，樣品有效范圍內溫度不均勻性不
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產(chǎn)品描述
參數

主要技術(shù)指標：

 

真空指標

極限真空度：優(yōu)于5×10-5Pa；工作真空優(yōu)于5×10-4Pa，恢復真空時(shí)間（冷態(tài)）小于等于45min；

系統漏率：小于等于5×10-7Pa·L/s；

鍍膜方式

磁控濺射系統采用三靶共濺射鍍膜方式實(shí)現；PECVD系統采用射頻電容耦合方式產(chǎn)生等離子體方式實(shí)現薄膜制備；

樣品臺加熱范圍

PECVD系統與磁控濺射系統，分別單獨運行；加熱溫度：室溫～600℃可調，樣品有效范圍內溫度不均勻性不超過(guò)±5℃。

工裝系統

PECVD鍍膜室工裝系統要求可以單次完成不低于30個(gè)樣件的鍍層制備；

磁控濺射系統每次可鍍小于Φ40mm樣品一個(gè)，也可鍍小樣品；

氣路系統

PECVD系統：工藝氣體為N2、硅烷、氨氣和一路備用，三路分別通過(guò)流量計進(jìn)入噴淋盒中，避免提前反應；

磁控濺射系統：N2 、Ar兩路氣體分別通過(guò)流量計進(jìn)入真空室；

烘烤照明

磁控濺射真空室通過(guò)碘鎢燈組件進(jìn)行烘烤除氣，烘烤去氣溫度為室溫～150度；

尾氣處理系統

采用化學(xué)方法處理抽氣系統的尾氣，設計一套耐腐蝕的尾氣處理箱，尾氣達到相關(guān)環(huán)保排放標準后，可排出室外。

 

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產(chǎn)品展示

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