高溫氯化物化學(xué)氣相沉積系統
一、設備用途：
高溫CVD設備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件，通入反應氣體（四氯化硅），在柱狀樣品表面沉積薄膜。
二、技術(shù)指標：
1、整體結構：外殼采用石英管式材料，臥式結構；與兩端不銹鋼法蘭連接，法蘭斷面有水冷；在反應室右端進(jìn)氣（正對設備），左端出氣；反應室左右側為導軌移動(dòng)門(mén)，用于取放水平移動(dòng)樣品和選擇樣品。
2、抽氣系統：
2.1、真空室極限真空度：5.0Pa；
2.2、系統漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽氣機組：采用北京優(yōu)成抽速為6L/S機械泵和KF25手動(dòng)隔膜閥組成真空抽氣系統；設備整體KF接口，全部采用KF25尺寸。真空泵進(jìn)氣口采用機械式壓差閥。
3、樣品架系統：兩種樣品架，一種水平移動(dòng)樣品架，一種旋轉樣品架；
3.1、水平移動(dòng)樣品架：
3.1.1、樣品移動(dòng)方式：采用兩端纏放式滾輪結構使樣品移動(dòng)；
3.1.2、左右方向移動(dòng)：移動(dòng)范圍以0-400mm之間可調，電動(dòng)控制 也可手動(dòng)微調；
3.1.3、水平移動(dòng)樣品移動(dòng)采用掃描往復運動(dòng)方式進(jìn)行鍍膜，運動(dòng)方式和速度可編程控制；另外需要在控制面板上添加調速轉扭和控制定制停止和運動(dòng)的開(kāi)關(guān)。
3.1.4、在鍍膜過(guò)程中進(jìn)氣管道和出氣管道保持不動(dòng)，樣品移動(dòng)；
3.1.5、樣品尺寸：外徑ø50mm，長(cháng)500mm寬，厚度3、4、5mm不等；
3.1.6、移動(dòng)速度0.5～5mm/min；
3.1.7、滾輪可電動(dòng)控制也可手動(dòng)調節。
3.2、旋轉樣品架：
3.2.1、樣品移動(dòng)方式：采用直流電機帶動(dòng)轉軸結構使樣品旋轉；
3.2.2、樣品轉動(dòng)速度：15-60轉/分鐘之間可調，電動(dòng)控制；另外需要在控制面板上添加調速轉扭和控制定制停止和運動(dòng)的開(kāi)關(guān)；
3.2.3、在鍍膜過(guò)程中進(jìn)氣管道帶動(dòng)樣品存放筒旋轉，出氣管道保持不動(dòng)；
3.2.4、樣品尺寸：外徑ø50mm，內徑ø40mm，長(cháng)100mm。
4、加熱爐系統：
4.1、石英管式爐外帶有水冷RF電感線(xiàn)圈，通過(guò)高頻對石英管內樣品進(jìn)行加熱。
4.2、電感線(xiàn)圈尺寸：用ø10mm的纏制，內徑215mm，長(cháng)度100mm；
4.3、高頻電源的功率：50千瓦，頻率：10～20kHz；
4.4、石英管式爐內，有圓柱形石墨碳氈保溫導向套，防止熱損失過(guò)大；
圓筒形石墨碳氈保溫導向套長(cháng)度200mm；內外表面碳纖維布；
4.5、樣品加熱：樣品可加熱至1650℃,控溫精度±1℃；
4.6、選用德國歐普士紅外測溫儀器對樣品測溫，測量范圍250～1800度，精度±0.3%；
4.7、碳氈需要易于拆卸，以便于清理玻璃管內側。因觀(guān)察孔部分可能會(huì )在實(shí)驗后變色。
5、氣路系統：
共有兩種源罐，一種為液態(tài)源罐，一種為固態(tài)源罐；液態(tài)源罐有兩個(gè)源罐，平面移動(dòng)樣品和轉動(dòng)樣品都可使用，一種液態(tài)源罐是氫氣做為載氣攜帶四氯化硅通過(guò)質(zhì)量流量控制器進(jìn)入反應室，進(jìn)入真空室之前與氫氣和甲烷混合，一路氮氣作為清洗流量控制器和管道使用；另一種液態(tài)源罐同上基本相同，區別在于不需要通過(guò)質(zhì)量流量控制器進(jìn)入反應室，液位儀可以通過(guò)聚四氟片進(jìn)行清洗；固態(tài)源是旋轉樣品筒使用，但使用時(shí)不需要選擇，氫氣作為載氣與二氧化碳混合后進(jìn)入反應室。
6、連鎖保護：設備具有斷水斷電連鎖保護功能，有防止誤操作保護功能；過(guò)壓（超過(guò)1.2大氣壓）斷電斷氣功能。
7、電控系統：
電控系統主要由樣品運動(dòng)控制系統、加熱控制系統、真空參數測量系統、流量控制系統（流量控制系統要求可按1鍵同時(shí)通入自選1-5種氣體或按1鍵可同時(shí)切斷所選1-5種氣體）、計算機系統等組成。
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