PLD真空 系統
一、設備用途：
制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。
二、設備主要技術(shù)指標和要求：
1、激光濺射沉積室，極限真空度優(yōu)于：6.6×10-5Pa；工作真空度：一小時(shí)內從大氣抽到8×10-4Pa；系統漏率為：1×10-7PaL/s；
2、樣品架可加熱，樣品安裝快捷方便，加熱溫度：900ºC±1ºC（采用Φ1.2mm鉑絲長(cháng)約2150mm，采用陶瓷爐盤(pán)，鉑絲螺旋式結構）；樣品臺尺寸2英寸，樣品多片很小，采用粘接方式固定；
3、激光靶材尺寸：Ф20×5㎜；尺寸可調；共四塊，采用壓環(huán)式結構，四塊靶材可公轉換位同時(shí)靶材可自轉，自轉速度為：0～60轉/分，連續旋轉；
4、真空抽氣采用620升/秒分子泵＋9升/秒機械泵；
5、激光濺射沉積室尺寸：Ф450球型結構，真空室外表面帶有水冷槽，真空室上開(kāi)有連接四工位靶臺、樣品活開(kāi)門(mén)、樣品架、激光窗口、真空閘板閥、氣路閥等法蘭接口，同時(shí)真空室留有兩個(gè)CF35備用接口，真空室上方開(kāi)有一個(gè)CF100觀(guān)察窗接口并安裝一個(gè)CF100觀(guān)察窗；
不銹鋼材料制造，氬弧焊接，外表面噴玻璃丸處理；
6、激光入射窗口1個(gè)：Ф100㎜，248nm，石英窗口；
7、兩路工作氣體氣路，采用質(zhì)量流量計和截止閥控制進(jìn)氣，氣路管道采用進(jìn)口1/4英寸內拋光不銹鋼管道；
8、靶的公轉換位、自轉以及樣品加熱溫度采用PLC+觸摸屏來(lái)控制實(shí)現。
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