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開(kāi)放式金屬有機物化學(xué)氣相沉積系統
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開(kāi)放式金屬有機物化學(xué)氣相沉積系統

一、技術(shù)指標:??該設備主要采用在真空下,對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件,通入反應氣體,在板狀樣品表面沉積薄膜。??主要由真空抽氣及測量系統、加熱及控溫系統、原料供應系統、樣品臺系統、氣路系統、輔助系統、電控系統等組成。??在抽氣過(guò)程中,如系統突然暴露大氣,應能處于保護狀態(tài),避免部件的損壞。停電停水、以及系統不能維持真空狀態(tài),設備帶有保護裝置,整個(gè)系統連鎖保護。1、真空抽氣及測量系統:??系
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產(chǎn)品描述
參數

一 、技術(shù)指標:

    該設備主要采用在真空下,對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件,通入反應氣體,在板狀樣品表面沉積薄膜。

    主要由真空抽氣及測量系統、加熱及控溫系統、原料供應系統、樣品臺系統、氣路系統、輔助系統、電控系統等組成。

    在抽氣過(guò)程中,如系統突然暴露大氣,應能處于保護狀態(tài),避免部件的損壞。停電停水、以及系統不能維持真空狀態(tài),設備帶有保護裝置,整個(gè)系統連鎖保護。

1、真空抽氣及測量系統:

    系統要求工作室真空度在5 Pa以下,為此我們采用的是成都南光生產(chǎn)的8L/s的直連式機械泵作為主抽泵,配有前級抽氣閥門(mén)、三通管道、波紋管管道、真空規計、機械泵上方的電磁壓差閥(防止返油)等。

    同時(shí)機械泵與真空室連接的DN35閘板閥為手動(dòng),可進(jìn)行排氣流導大小調節控制,實(shí)現反應室壓力控制。閘板閥上有刻度,便于控制閥門(mén)開(kāi)啟程度。

    在反應室與泵抽系統之間,先后安裝有粉塵收集器和液氮冷阱,保護閥及機械泵不受污染。

    壓力測量:壓力傳感器選用國內杭州潤辰科技有限公司的產(chǎn)品:壓力范圍:1Pa~0.1MPa;型號為:PRC905,供電24VDC,輸出:4-20mA,精度:0.5%,接口M20×1.5;通過(guò)調節抽氣閥門(mén)的流導實(shí)現節流,控制反應室的壓力。

    低真空測量采用成都睿寶電阻規測量,安裝在真空室上。

2、反應室系統:

2.1尺寸結構:

    采用臥式不銹鋼圓筒形前開(kāi)門(mén)結構,壁厚為5mm,內徑尺寸為:ø250×300mm,一端為封頭焊接結構,一端為前開(kāi)門(mén)結構,方便更換樣品。

    在真空室的斜上方安裝氣路噴頭,正上方留出相同尺寸的法蘭,在真空室的中心下部,安裝可加熱樣品臺。

    在真空室前開(kāi)門(mén)上開(kāi)有Dg50觀(guān)察窗,用于觀(guān)察真空室內部。

    在真空室上,開(kāi)有KF16法蘭接口,用于氣路備用進(jìn)氣口;

    在真空室上開(kāi)有Dg100法蘭接口一個(gè),用于備用;

    真空室開(kāi)有一個(gè)Dg10法蘭接口,用于連接壓力傳感器(接口為M20×1.5);

    在真空室圓周45°斜上方對準樣品位置,對稱(chēng)開(kāi)有兩個(gè)通導為ø100mm的石英觀(guān)察窗,用于激光導入;

    在真空室下方適當位置,開(kāi)有KF40法蘭接口,用于連接機械泵抽氣。

3、樣品臺系統:

    樣品臺(Φ120mm)每次只鍍一個(gè)平面樣品(直徑Φ100 mm),可對樣品加熱,電動(dòng)旋轉。

    樣品臺距噴頭距離在30mm~60mm可調。

3.1安裝:樣品臺安裝真空室的氣體噴口的正下方,樣品被鍍面向上。

3.2要求:樣品可加熱1000℃;

3.3實(shí)施方案:

    方案:采用輻射電阻加熱方式,實(shí)現樣品的加熱,加熱溫度為室溫到1000℃,控溫精度±1℃。

為了保證樣品的溫度和均勻性,樣品加熱爐通過(guò)鐵鉻鋁加熱絲進(jìn)行加熱。

    樣品臺元件以及屏蔽要防氧化材料。

    高精度加熱測溫控溫電源一臺,控溫表一臺,陶封引線(xiàn)電極及測溫熱電偶各一套,加熱采用程序控溫,PID調節。

    擋板:噴頭下方、樣品加熱爐上方帶有手動(dòng)擋板一套,擋板尺寸要大于加熱爐尺寸。

    采用電機帶動(dòng),樣品臺旋轉方式,轉速0~30(轉/分)可控。

    ……

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